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Pulse-duration dependence of laser-induced modifications inside silicon
Optics Express 28 (2020) 26623
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https://doi.org/10.1364/OE.398984
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Temporal Contrast Imperfections as Drivers for Ultrafast Laser Modifications in Bulk Silicon
Physical Review Research 2 (2020) 033023
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https://doi.org/10.1103/PhysRevResearch.2.033023
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Ultrafast Laser Writing Deep Inside Silicon with THz-repetition-rate Trains of Pulses
Research (2020) 8149764
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https://spj.sciencemag.org/research/aip/8149764/
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Competing nonlinear delocalization of light for laser inscription inside silicon with a 2- μm picosecond laser
Physical Review Applied 12 (2019) 024009
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http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevApplied.12.024009
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Characterization and control of laser induced modification inside silicon
J. Laser Appl. 31 (2019) 022601
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https://doi.org/10.2351/1.5096086
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Phenomenological modelling of non-volatile memory threshold voltage shift induced by nonlinear ionization with a femtosecond laser
Sci. Rep. 9 (2019) 7392
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https://doi.org/10.1038/s41598-019-43344-x
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Positive- and negative-tone structuring of crystalline silicon by laser-assisted chemical etching
Optics Letters 44 (2019) 1619-1622
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https://doi.org/10.1364/OL.44.001619
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