L’infrarouge moyen inscrit des circuits photoniques sur silicium ?

14 juin 2021 par Super Administrateur
Le LP3 et l'Instituto de Óptica, CSIC (Madrid) repoussent les limites de l'amorphisation profonde du silicium avec des lasers femtosecondes. Utilisant des impulsions dans l'infrarouge moyen, les chercheurs on découvert une modalité permettant de doubler l'épaisseur maximum démontrée jusqu'ici. Les canaux amorphisés deviennent compatibles avec le transport de modes guidés offrant des perspectives pour la photonique sur sur silicium.

Ces travaux sur le sujet font l’objet d’une publication dans la revue Advanced Optical Materials (https://doi.org/10.1002/adom.202100400) [Open access]