Le LP3 et l'Instituto de Óptica, CSIC (Madrid) repoussent les limites de l'amorphisation profonde du silicium avec des lasers femtosecondes. Utilisant des impulsions dans l'infrarouge moyen, les chercheurs on découvert une modalité permettant de doubler l'épaisseur maximum démontrée jusqu'ici. Les canaux amorphisés deviennent compatibles avec le transport de modes guidés offrant des perspectives pour la photonique sur sur silicium.