Le LP3 et l'Instituto de Óptica, CSIC (Madrid) repoussent les limites de l'amorphisation profonde du silicium avec des lasers femtosecondes. Utilisant des impulsions dans l'infrarouge moyen, les chercheurs on découvert une modalité permettant de doubler l'épaisseur maximum démontrée jusqu'ici. Les canaux amorphisés deviennent compatibles avec le transport de modes guidés offrant des perspectives pour la photonique sur sur silicium.
Ces travaux sur le sujet font l’objet d’une publication dans la revue Advanced Optical Materials (https://doi.org/10.1002/adom.202100400) [Open access]
A lire aussi
Des lasers ultra-stables pour les procédés
16 février 2022
par Super Administrateur
Fabrication laser d’une puce micro-refroidissante « made in Marseille »
28 septembre 2021
par Super Administrateur
Le plasma laser pour l'étalonnage des spectromètres
30 avril 2021
par Super Administrateur