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Caractérisation d’ondes de choc générées par laser dans l’air

A l'aide d'un laser femtoseconde infrarouge, des chercheurs du LP3 et de l'Institut de Physique de Rennes ont généré des microplasmas dans l'air qui agissent comme des émetteurs d'ondes de choc. Suite à des observations avec une technique de microscopie ultrarapide et des simulations utilisant les lois de conservation, ils ont accédé aux caractéristiques des ondes de choc générées. Les résultats obtenus pourraient être utiles dans des applications telles que le nettoyage à sec des contaminants sur des surfaces et la réduction de la traînée dans les flux d'air.

Des microsoudures laser sur des matériaux semiconducteurs

Des chercheurs du LP3 ont réalisé pour la première fois des soudures laser sur du silicium et d'autres matériaux semiconducteurs. Ces résultats ouvrent une voie nouvelle pour la fabrication de dispositifs électroniques et photoniques, de Mems, ou encore de puces hybrides embarquant des fonctions électroniques et microfluidiques.

Des lasers ultra-stables pour les procédés

La physique des procédés par lasers ultra-rapides est au cœur des activités du LP3. Une étude récente du laboratoire démontre que la précision et résolution des procédés peut être exaltée par un processus de stabilisation des caractéristiques lasers. D'excellentes performances de stabilisation sont obtenues par interaction non linéaire dans un cristal, c'est-à-dire une configuration expérimentale simple et compatible avec de nombreuses applications.

Fabrication laser d’une puce micro-refroidissante « made in Marseille »

Les chercheurs du LP3 et du CPPM ont réalisé une puce micro-refroidissante à base de silicium et verre borosilicate grâce à la mise en place d’une méthode de micro-fabrication qui utilise l’ablation laser. Cette méthode qui évite l’utilisation d’outils lithographiques complexes et onéreux devrait permettre un prototypage plus rapide et ainsi faciliter les étapes de développement des technologies de refroidissement pour l’électronique du futur.

L'infrarouge moyen inscrit des circuits photoniques sur silicium ?

Le LP3 et l'Instituto de Óptica, CSIC (Madrid) repoussent les limites de l'amorphisation profonde du silicium avec des lasers femtosecondes. Utilisant des impulsions dans l'infrarouge moyen, les chercheurs on découvert une modalité permettant de doubler l'épaisseur maximum démontrée jusqu'ici. Les canaux amorphisés deviennent compatibles avec le transport de modes guidés offrant des perspectives pour la photonique sur sur silicium.

Le plasma laser pour l'étalonnage des spectromètres

Dans le cadre d'un travail collaboratif avec le Cetim Grand Est et la société Lasertechnik Berlin, LP3 a mis en œuvre une procédure d'étalonnage des spectromètres à large bande spectrale. Basée sur la simulation du spectre d'émission d'un plasma produit par irradiation laser d'un échantillon en acier, la procédure facilite l'analyse élémentaire des matériaux par technique LIBS "autocalibrée".

Des applications de photothérapie du cancer avec des nanoparticules produites par laser

Dans le cadre d'un travail collaboratif interdisciplinaire avec l’institut des Biomolécules Max Mousseron (IBMM) (Montpellier, France) et l'Université d'Alexandrie en Egypte, des études in-vitro ont été réalisées sur la cytotoxicité et le potentiel thérapeutique de nanoparticules de silicium (40 nm) générées par laser. Les particules sont particulièrement prometteuses pour de la thérapie photodynamique (PDT) à deux photons avec des applications en cancérologie. Le procédé laser offre une alternative flexible et prometteuse aux méthodes conventionnelles de synthèse de nanoparticules.

Des images X à contraste de phase avec des intensités lasers relativistes

Une étude menée sur l'installation ASUR démontre la faisabilité de réaliser des images à contraste de phase avec une source X de type K-alpha produite dans une large gamme de très hautes intensités lasers. Ces travaux sont essentiels pour accéder aux meilleurs compromis entre qualité et temps d'acquisition des images.

Un paramètre "éclairant" dans la course à l'écriture 3D dans le silicium

Dans un article publié dans Physical Review Research, le chercheurs du LP3 révèlent le rôle crucial joué par le contraste temporel pour générer des modifications à l'intérieur des semi-conducteurs avec des lasers ultrarapides. Ce résultat permet de "démêler" la littérature contradictoire sur le sujet et doit influencer la thématique croissante de la fabrication tridimensionnelle de microsystèmes de silicium par laser.
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