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Lasers, Plasmas et Procédés Photoniques

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Accueil>>>Internal structuring of gallium arsenide using short laser pulses

Catégorie de publications : Bulk interactions and 3D technologies

Internal structuring of gallium arsenide using short laser pulses

Burst mode enabled ultrafast laser inscription inside Gallium Arsenide

Transmission laser welding of similar and dissimilar semiconductor materials

Separated nano jetting and micro jetting regimes by double-pulse irradiation of a metal film: towards multiscale printing

In-volume laser direct writing of silicon – Challenges and opportunities

Short-Pulse Laser-Assisted Fabrication of a Si-SiO2 Microcooling Device

Three-dimensional luminescence microscopy for quantitative plasma characterization in bulk semiconductors

Short-Pulse Lasers: A Versatile Tool in Creating Novel Nano-/Micro-Structures and Compositional Analysis for Healthcare and Wellbeing Challenges

Pulse-duration dependence of laser-induced modifications inside silicon

Temporal Contrast Imperfections as Drivers for Ultrafast Laser Modifications in Bulk Silicon

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