Dans un article publié dans Physical Review Research, le chercheurs du LP3 révèlent le rôle crucial joué par le contraste temporel pour générer des modifications à l'intérieur des semi-conducteurs avec des lasers ultrarapides. Ce résultat permet de "démêler" la littérature contradictoire sur le sujet et doit influencer la thématique croissante de la fabrication tridimensionnelle de microsystèmes de silicium par laser.